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SH8M70
N-ch
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
Data Sheet
Parameter Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Gate-source leakage
I GSS
?
?
± 10
μ A
V GS =± 25V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
250
?
?
V
I D = 1mA, V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
?
2.0
?
?
?
1.25
25
4.0
1.63
μ A
V
Ω
V DS = 250V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1.5A, V GS = 10V
Forward transfer admittance
Y fs
?
0.75
?
?
S
I D = 1.5A, V DS = 10V
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r ?
t d (off) ?
t f ?
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
180
70
20
10
20
20
25
5.2
2.1
1.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = 25V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = 1.5A, V DD 125V
V GS = 10V
R L = 83 Ω
R G = 10 Ω
V DD 125V
V GS = 10V I D = 3A
R L = 42 Ω R G = 10 Ω
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta=25 ? C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
1.5
V
I S = 3A, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.06 - Rev.B
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